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> MOCVD方法制备In2O3薄膜的性质研究
MOCVD方法制备In2O3薄膜的性质研究
MOCVD方法制备In2O3薄膜的性质研究
资料类型:
PDF文件
关键词:
MOCVD
In2O3薄膜
结构性质
光电性质
资料大小:
349K
所属学科:
分子表征
来源:
2007年第六届中国功能材料及其应用学术会议暨2007国际功能材料专题论坛论文集(11.15-11.19,武汉)
简介:
用金属有机化学气相淀积(MOCVD)方法以三甲基铟为源材料,以O2为氧化气体,在蓝宝石衬底(0001)面上生长出了高质量的立方相In2O3薄膜。研究了In2O3薄膜的结构、表面形貌和光电性质。结果表明制备样品具有In2O3体心立方结构和(222)方向择优取向生长,电阻率~6.4010-3Ωcm,在可见光区域的平均透过率达到了90%以上。
作者:
杨 帆,马 瑾,冯先进,孔令沂,张 凯
上传时间:
2008-09-09 17:16:23
下载次数:
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